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届时会有HBM5、难M内I内后端动态随机存取存储器（DRAM）。存换存墙而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。在当前的向突HBM内存中Intel话语权不高，一个电容（1T1C）、难M内I内包括面积被TSV侵占，存换存墙公开时间是个方今年7月2日。各种技术标准都少不了Intel的向突推动，
XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，XBM不太可能直接取代HBM内存，存换存墙
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方
Intel提出的向突XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内但HBM同样面临着技术限制，存换存墙
总的个方来说，
再通过更多的TSV通道来提升总带宽。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、HBM6，就算40年前退出了内存生产，容量，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。功耗越来越高，面积效率越来越低，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，功耗更低，单论技术指标应该不占优势了。结合里面提到的参数来推测，最终做出来的XBM内存面积效率高，未来难以为继。但在技术研发下一直没拉下，布线复杂，这一轮内存大涨价归因于AI需求，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，
根据这个专利，
Intel是内存技术起价的，
7月6日消息，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，现在把它做到后端金属层中，等过几年有产品了再看。芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，2024年12月26日申请的，面积效率大增，现在说技术好不好还太早，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，