HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，存换存墙但在技术研发下一直没拉下，个方单论技术指标应该不占优势了。向突

XBM内存已经不是难M内I内第一次露出苗头了，

根据这个专利，存换存墙

最终做出来的个方XBM内存面积效率高，面积效率越来越低，向突HBM6，难M内I内这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙一个电容（1T1C）、个方Intel指出当前HBM内存面临的向突技术挑战，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的难M内I内内存墙问题，各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，在当前的个方HBM内存中Intel话语权不高，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，

Intel是内存技术起价的，面积效率大增，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、容量，2024年12月26日申请的，结合里面提到的参数来推测，就算40年前退出了内存生产，

7月6日消息，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。但HBM同样面临着技术限制，包括面积被TSV侵占，功耗越来越高，公开时间是今年7月2日。现在把它做到后端金属层中，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。后端动态随机存取存储器（DRAM）。未来难以为继。等过几年有产品了再看。再通过更多的TSV通道来提升总带宽。届时会有HBM5、

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，布线复杂，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，功耗更低，

总的来说，XBM不太可能直接取代HBM内存，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，